TFT液晶顯示屏-LCD顯示屏通過(guò)什么制造工藝發(fā)揮其在顯示屏中的巨大優(yōu)勢(shì)？本文重點(diǎn)介紹深圳星宇和電子技術(shù)人員對(duì)TFT-LCD的制造工藝的詳細(xì)介紹，希望對(duì)您有所幫助。

TFT液晶顯示屏-LCD彩色液晶屏模塊

1.薄膜晶體管液晶顯示器的制造過(guò)程包括以下幾個(gè)部分

①在薄膜晶體管基板上形成薄膜晶體管陣列；

2)在彩色濾光片基板上形成彩色濾光片圖案和ITO導(dǎo)電層；

(3)形成具有兩個(gè)基板的液晶盒；

④用于安裝外圍電路、組裝背光等的模塊組件。

第二，在TFT液晶顯示屏基板上形成TFT陣列的過(guò)程

現(xiàn)在已經(jīng)產(chǎn)業(yè)化的TFT液晶顯示屏類型有非晶硅TFT (a-Si TFT)、多晶硅TFT (p-Si TFT)和單晶硅TFT(c-Si TFT)。目前還在使用a-Si TFT。

非晶硅薄膜晶體管的制造過(guò)程如下:

(1)首先在硼硅玻璃襯底上濺射柵極材料薄膜，經(jīng)過(guò)掩膜曝光、顯影和干法刻蝕后形成柵極布線圖形。用于普通掩模曝光的步進(jìn)曝光機(jī)。

②用PECVD法進(jìn)行連續(xù)成膜，形成SiNx膜、未摻雜a-Si膜和摻磷n+a-Si膜。然后，進(jìn)行掩模曝光和干法蝕刻以形成TFT部分的a-Si圖案。

③通過(guò)濺射成膜法形成透明電極(ITO膜)，然后通過(guò)掩膜曝光和濕法刻蝕形成顯示電極圖形。

④通過(guò)掩模曝光和干法蝕刻形成柵極端子處的絕緣膜的接觸孔圖案。

(5)濺射AL等以形成薄膜，用掩模曝光和蝕刻以形成TFT的源極、漏極和信號(hào)線圖案。通過(guò)PECVD方法形成保護(hù)絕緣膜，然后通過(guò)掩模曝光和干法蝕刻對(duì)絕緣膜進(jìn)行蝕刻和成形(保護(hù)膜用于保護(hù)柵電極、信號(hào)線電極端子和顯示電極)。

TFT液晶顯示屏陣列工藝是TFT液晶顯示屏-LCD制造工藝的關(guān)鍵，也是設(shè)備投入較大的部分。整個(gè)過(guò)程需要在非常高的凈化條件下進(jìn)行(比如10級(jí))。

第三，在濾色器(CF)基板上形成濾色器圖案的過(guò)程

彩色濾光片的著色部分的形成方法包括染料法、顏料分散法、印刷法、電解沉積法和噴墨法。目前主要是顏料分散法。

顏料分散法是將顆粒均勻(平均粒徑小于0.1微米)(R、G、B)的精細(xì)顏料分散在透明光敏樹(shù)脂中。然后，將它們依次涂布、曝光和顯影，形成紅綠藍(lán)三色圖案。制造中使用光刻技術(shù)，使用的器件主要是鍍膜、曝光、顯影器件。

為了防止漏光，通常在RGB的交界處加入黑矩陣(BM)。過(guò)去用濺射法形成單層金屬鉻膜，現(xiàn)在也有金屬鉻和氧化鉻復(fù)合的BM膜或混合碳樹(shù)脂的樹(shù)脂BM。

另外還需要在BM上做保護(hù)膜，形成IT0電極，因?yàn)閹V色器的基板是液晶屏的前基板，帶TFT的后基板共同構(gòu)成了液晶盒。所以一定要注意定位問(wèn)題，讓彩色濾光片的每個(gè)單元對(duì)應(yīng)TFT基板的每個(gè)像素。

四。液晶盒的制備工藝

在上基板和下基板的表面分別涂覆聚酰亞胺薄膜，形成能夠誘導(dǎo)分子按照摩擦過(guò)程的要求進(jìn)行排列的取向膜。然后，在TFT陣列基板周圍鋪設(shè)密封材料，并在基板上噴涂襯墊。同時(shí)，在CF基板的透明電極端部涂覆銀漿。然后，將兩個(gè)基板對(duì)準(zhǔn)并結(jié)合，以將CF圖案與TFT像素圖案對(duì)準(zhǔn)，并通過(guò)熱處理固化密封材料。在印刷密封材料時(shí)，需要留一個(gè)注入口，這樣可以通過(guò)真空填充液晶。

近年來(lái)，隨著技術(shù)的進(jìn)步和基板尺寸的不斷增大，盒子的制造技術(shù)也有了很大的提高。比較有代表性的是充晶方式的改變，由原來(lái)的盒充法改為ODF法，即充晶和盒成型同時(shí)進(jìn)行。此外，襯片法不再使用傳統(tǒng)的噴涂方法，而是通過(guò)光刻直接制作在陣列上。

5.外圍電路、背光組件等模塊組裝工藝。

在液晶盒的制造過(guò)程完成后，需要在面板上安裝外圍驅(qū)動(dòng)電路，然后在兩個(gè)基板的表面貼上偏振片。如果是透射式LCD，應(yīng)該安裝背光。

材料和工藝是影響產(chǎn)品性能的兩個(gè)主要因素。TFT液晶顯示屏-LCD顯示屏經(jīng)過(guò)以上四個(gè)主要工序，大量復(fù)雜的制造工藝形成了我們看到的產(chǎn)品。